会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
100+ | ¥9 |
500+ | ¥8 |
1000+ | ¥7 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Id-连续漏极电流 | 110 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 200 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
高度 | 15.65 mm |
长度 | 10 mm |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 4.4 mm |
下降时间 | 65 ns |
上升时间 | 101 ns |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
典型接通延迟时间 | 14 ns |
单位重量 | 6 g |