会员年限
4年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥6 |
1000+ | ¥5 |
3000+ | ¥3 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | STMicroelectronics |
产品种类 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
Id-连续漏极电流 | 7 A |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
增益 | 15.7 dB |
输出功率 | 25 W |
最小工作温度 | - 65 C |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | PowerSO-10RF-Formed-4 |
配置 | Single |
高度 | 3.5 mm |
长度 | 9.4 mm |
工作频率 | 1 GHz |
系列 | PD85025-E |
宽度 | 7.5 mm |
通道模式 | Enhancement |
湿度敏感性 | Yes |
Pd-功率耗散 | 79 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 15 V |
单位重量 | 3 g |