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场效应管 NVMFS5113PLT1G
型号
:
NVMFS5113PLT1G
品牌
:
ON
封装
:
DFN-8
批号
:
2023+
标准包装
:
--
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥8.33 |
| 250+ | ￥5.16 |
| 3000+ | ￥3.181 |
购买数量
：
x ￥8.33 = ￥8.33
库存
：
600000
预计发货日： 2025/03/21
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SO-FL-8 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 64 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 83 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 配置 | Single |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值 | 43 S |
| 下降时间 | 77 ns |
| 上升时间 | 37 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 54 ns |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns |
| 单位重量 | 107.200 mg |
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