会员年限
3年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥3 |
100+ | ¥1.95 |
1000+ | ¥1.7 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SO-8 |
通道数量 | 2 Channel |
晶体管极性 | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Id-连续漏极电流 | 3.4 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 105 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Qg-栅极电荷 | 26 nC |
Pd-功率耗散 | 2 W |
配置 | Dual |
高度 | 1.75 mm |
长度 | 4.9 mm |
晶体管类型 | 2 P-Channel |
宽度 | 3.9 mm |
单位重量 | 540 mg |