MOS管（MOSFET场效应管）     

     可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

      P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

      不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度（如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素），基本原则就是：在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。

常见的MOS管封装有：

①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92；

②表面贴装式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3；

不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样.

功率模块（Power Module）

     以先进的IGBT芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，新洁能推出全新的IGBT功率集成模块（PIM）系列产品。该系列产品包括650V、750V、1200V和1700V系列产品，并搭载了不同系列的IGBT芯片，以保证产品工作效率最优；同时，可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，满足不同的应用要求。新洁能的PIM可以广泛用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。

      宁波卓日电子科技有限公司为一家专业从事电子元件及相关延伸产品的研发生产为一体的生产销售型企业，主营的产品有：继电器、磁性传感器、干簧管及其延伸加工产品，如塑封管、接近开关等，同时还有代理MOS管、保险丝等电子元件，公司与多家知名厂商建立了长期稳定的合作关系，经销的产品品种齐全、价格合理，公司以重信用、守合同、保证产品质量、以多品种经营特色和薄利多销的原则愿与您互利互信，共谋发展！