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场效应管 IXFN230N10
型号
:
IXFN230N10
品牌
:
IXYS艾赛斯
封装
:
标准封装
批号
:
23+
标准包装
:
10/管
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥100 |
购买数量
：
x ￥100 = ￥100
库存
：
1000
预计发货日： 2025/05/08
规格参数
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商品详情
规格参数
| 制造商 | IXYS |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| RoHS | 是 |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
| 安装风格 | Screw Mounts |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 系列 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| 下降时间 | 60 ns |
| 高度 | 9.6 mm |
| Id-连续漏极电流 | 230 A |
| 长度 | 38.23 mm |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Pd-功率耗散 | 700 W |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.5 mOhms |
| 上升时间 | 150 ns |
| 晶体管极性 | 112 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 典型接通延迟时间 | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25.42 mm |
| 宽度 | 30 g |
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