会员年限
4年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥4.5 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-252-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 265 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 16 V |
Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
Pd-功率耗散 | 39 W |
配置 | Single |
晶体管类型 | 1 N-Channel |