会员年限
3年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
10+ | ¥1.5 |
500+ | ¥1.3 |
1000+ | ¥1.1 |
0755-83950953 李小姐
0755-82565953 黎小姐
13824301085
规格参数
数据手册 PDF
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 33 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 44 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 47.3 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 140 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
高度 | 15.65 mm |
长度 | 10 mm |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 4.4 mm |
单位重量 | 2 g |