会员年限
4年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
200+ | ¥3 |
500+ | ¥2 |
1000+ | ¥1 |
0755-83173979 张先生
0755-82791319 陈先生
18718778656
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
封装 / 箱体 | TO-252-3 |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 195 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.65 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
Qg-栅极电荷 | 274 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 375 W |
正向跨导 - 最小值 | 242 S |
产品说明 | 全新原装正品 |