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3年
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数量 | 单价 |
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1+ | ¥1 |
规格参数
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商品详情
制造商 | MACOM |
产品种类 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
晶体管极性 | N-Channel |
Id-连续漏极电流 | 40 A |
Vds-漏源极击穿电压 | 125 V |
增益 | 14 dB |
输出功率 | 300 W |
最小工作温度 | - 65 C |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
配置 | Dual |
工作频率 | 175 MHz |
Pd-功率耗散 | 500 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 40 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
单位重量 | 10.600 g |