会员年限
3年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥5.28 |
1000+ | ¥3.58 |
2000+ | ¥2.88 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOT-23-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 170 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 2.9 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.9 V |
Qg-栅极电荷 | 2.1 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 360 mW |
通道模式 | Depletion |
资格 | AEC-Q101 |
系列 | BSS169 |
配置 | Single |
下降时间 | 27 ns |
正向跨导 - 最小值 | 0.2 S |
高度 | 1.1 mm |
长度 | 2.9 mm |
上升时间 | 2.7 ns |
晶体管类型 | SIPMOS Small Signal Transistor |
典型关闭延迟时间 | 2.9 ns |
典型接通延迟时间 | 1.3 mm |
宽度 | BSS169 H6327 SP000702572 |