会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥6.44 |
10+ | ¥5.49 |
30+ | ¥4.97 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SO-8 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 12 V, + 12 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 29 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
高度 | 1.75 mm |
长度 | 4.9 mm |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 3.9 mm |
正向跨导 - 最小值 | 27 S |
下降时间 | 3.2 ns |
上升时间 | 1.9 ns |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
典型接通延迟时间 | 10 ns |
单位重量 | 540 mg |