会员年限
4年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
10+ | ¥2 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | ON Semiconductor |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
技术 | Si |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 48 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
封装 | Tube |
高度 | 16.3 mm |
长度 | 10.67 mm |
系列 | FQPF8N60C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
类型 | MOSFET |
宽度 | 4.7 mm |
商标 | ON Semiconductor / Fairchild |
正向跨导 - 最小值 | 8.7 S |
下降时间 | 64.5 ns |
产品类型 | MOSFET |
上升时间 | 60.5 ns |
工厂包装数量 | 1000 |
子类别 | MOSFETs |
典型关闭延迟时间 | 81 ns |
典型接通延迟时间 | 16.5 ns |
单位重量 | 2.270 g |