更新时间：2021-09-18 21:17:56
图像仅供参考，商品以实物为准
SI2369DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)
型号：
SI2369DS-T1-GE3
品牌：
VISHAY(威世)
描述：
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
参考价格：
￥0.8568
库存数量：
1,097
最小包装数量：
3,000 / 圆盘封装/规格：
SOT-23(SOT-23-3)
是否符合RoHS：
--
原厂标准交期：
--
分销商
规格参数
漏源电压（Vdss）
-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
7.6A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
29mΩ @ 5.4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.25W
类型
P沟道
