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开关电源芯片 SQD40P10-40L_GE3
型号
:
SQD40P10-40L_GE3
品牌
:
VISHAY
封装
:
TO-252
批号
:
23+
标准包装
:
--
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 100+ | ￥0.1 |
购买数量
：
x ￥0.1 = ￥10
库存
：
10000
预计发货日： 2025/05/21
规格参数
数据手册 PDF
规格参数
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 96 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 136 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 高度 | 2.38 mm |
| 长度 | 6.73 mm |
| 系列 | SQ |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 35 S |
| 下降时间 | 15 ns |
| 上升时间 | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 78 ns |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns |
| 单位重量 | 340 mg |
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