会员年限
4年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥9.9 |
10+ | ¥8.8 |
100+ | ¥6.6 |
规格参数
商品详情
制造商 | Cree, Inc. |
产品种类 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
晶体管类型 | HEMT |
技术 | GaN |
增益 | 12 dB |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 10 V, 2 V |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
输出功率 | 30 W |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 14 W |
安装风格 | Flange Mount |
封装 / 箱体 | 440166 |
应用 | General Purpose |
工作频率 | 3.3 GHz to 3.9 GHz |
商标 | Cree, Inc. |
产品类型 | RF JFET Transistors |
工厂包装数量 | 50 |
子类别 | Transistors |
Vgs th-栅源极阈值电压 | - 3 V |