搜索
数量 | 单价 |
---|---|
100+ | ¥1.5 |
4000+ | ¥1.2 |
0755-27845360 陈小姐
13421814229
15013816721
规格参数
数据手册 PDF
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SO-8 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
Qg-栅极电荷 | 12 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 2 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
高度 | 1.75 mm |
长度 | 4.9 mm |
晶体管类型 | 2 N-Channel |
宽度 | 3.9 mm |
单位重量 | 540 mg |