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数量 | 单价 |
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3200+ | ¥4 |
80000+ | ¥3.5 |
0755-27845360 陈小姐
13421814229
15013816721
规格参数
数据手册 PDF
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-263-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Id-连续漏极电流 | 70 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 180 nC |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 170 W |
配置 | Single |
高度 | 2.3 mm |
长度 | 6.5 mm |
晶体管类型 | 1 P-Channel |
宽度 | 6.22 mm |
正向跨导 - 最小值 | 19 S |
下降时间 | 64 ns |
上升时间 | 99 ns |
单位重量 | 4 g |