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场效应管 FDP075N15A-F102
型号
:
FDP075N15A-F102
品牌
:
ONSEMI/安森美
封装
:
TO-220
批号
:
2024+
标准包装
:
--
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥3.165 |
| 100+ | ￥2.008 |
| 1000+ | ￥0.552 |
购买数量
：
x ￥3.165 = ￥3.165
库存
：
5000000
预计发货日： 2025/03/26
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 77 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 333 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 高度 | 16.3 mm |
| 长度 | 10.67 mm |
| 系列 | FDP075N15A |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 下降时间 | 21 ns |
| 上升时间 | 37 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 62 ns |
| 典型接通延迟时间 | 28 ns |
| 单位重量 | 1.800 g |
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商品详情
