会员年限
5年
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真实性已核验
数量 | 单价 |
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1+ | ¥7.5 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Nexperia |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
Id-连续漏极电流 | 380 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 570 uOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
Qg-栅极电荷 | 53 nC |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
Pd-功率耗散 | 333 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
下降时间 | 49 ns |
上升时间 | 65 ns |
典型关闭延迟时间 | 63 ns |
典型接通延迟时间 | 39 ns |