会员年限
5年
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真实性已核验
数量 | 单价 |
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1+ | ¥2 |
规格参数
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商品详情
制造商 | Nexperia |
产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 80V |
连续漏极电流(Id) | 100A |
导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,25A |
耗散功率(Pd) | 238W |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
栅极电荷量(Qg) | 104nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 8.167nF@25V |
反向传输电容(Crss) | 284pF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |