会员年限
5年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
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1+ | ¥16 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Nexperia |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
Id-连续漏极电流 | 70 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 6.72 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 167 nC |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
Pd-功率耗散 | 349 W |
配置 | Single |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
下降时间 | 60.8 ns |
上升时间 | 55.3 ns |
典型关闭延迟时间 | 151.8 ns |
典型接通延迟时间 | 45.5 ns |