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MOSFET STB60NF06T4
型号
:
STB60NF06T4
品牌
:
ST/意法
封装
:
TO-263
批号
:
22+
标准包装
:
1000/盘
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1000+ | ￥1.31 |
| 2000+ | ￥1.28 |
| 3000+ | ￥1.15 |
购买数量
：
x ￥1.31 = ￥1310
库存
：
8000
预计发货日： 2025/05/31
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 高度 | 4.6 mm |
| 长度 | 10.4 mm |
| 系列 | STB60NF06 |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 20 S |
| 下降时间 | 20 ns |
| 上升时间 | 108 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns |
| 单位重量 | 4 g |
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