会员年限
5年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
100+ | ¥0.35 |
500+ | ¥0.32 |
3000+ | ¥0.308 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | ROHM Semiconductor |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOT-563-6 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Id-连续漏极电流 | 300 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 8 V, + 8 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 300 mV |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 150 mW |
通道模式 | Enhancement |
系列 | EM6K6 |
配置 | Dual |
下降时间 | 10 ns |
高度 | 0.5 mm |
长度 | 1.6 mm |
上升时间 | 10 ns |
晶体管类型 | 15 ns |
典型关闭延迟时间 | 5 ns |
典型接通延迟时间 | 1.2 mm |
宽度 | EM6K6 |