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深圳市芯达创科技有限公司

主营产品:
DRAM Nand-flash EMMC EMCP LPDDR

资质已核查

真实性已核验

图像仅供参考,请参阅产品规格书
场效应管 SPW20N60C3
型号
:
SPW20N60C3
品牌
:
INFINEON
封装
:
TO-247
批号
:
23+
标准包装
:
30/管
数量 单价
1+ ¥10
购买数量
x ¥10 = ¥10
库存
30000
预计发货日: 2025/03/22

深圳市芯达创科技有限公司

所在地区
广东省 深圳市
座机

0755-23912451 阮先生

手机

13543322237

13682328460

QQ 咨询
地址
广东省深圳市福田区华强北街道海外装饰大厦B座7B33

规格参数

数据手册 PDF

规格参数

制造商 Infineon
产品种类 MOSFET
RoHS
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-247-3
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 600 V
Id-连续漏极电流 20.7 A
Rds On-漏源导通电阻 190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压 2.1 V
Qg-栅极电荷 87 nC
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
Pd-功率耗散 208 W
通道模式 Enhancement
系列 CoolMOS C3
配置 Single
下降时间 4.5 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
上升时间 5 ns
晶体管类型 67 ns
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 5.21 mm
宽度 SP000013729 SPW2N6C3XK SPW20N60C3FKSA1
品牌:
HYNIX
封装:
BGA78
¥0.6/PCS
品牌:
SK Hynix
封装:
FBGA96
¥13.3/PCS
品牌:
HYNIX
封装:
FBGA96
¥0.6/PCS
品牌:
HYNIX
封装:
FBGA94
¥0.6/PCS
品牌:
SK Hynix
封装:
FBGA96
¥0.6/PCS
品牌:
SAMSUNG
封装:
FBGA96
¥9.8/PCS