会员年限
5年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥10 |
规格参数
数据手册 PDF
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 20.7 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.1 V |
Qg-栅极电荷 | 87 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 208 W |
通道模式 | Enhancement |
系列 | CoolMOS C3 |
配置 | Single |
下降时间 | 4.5 ns |
高度 | 21.1 mm |
长度 | 16.13 mm |
上升时间 | 5 ns |
晶体管类型 | 67 ns |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
典型接通延迟时间 | 5.21 mm |
宽度 | SP000013729 SPW2N6C3XK SPW20N60C3FKSA1 |