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深圳市芯达创科技有限公司

主营产品:
DRAM Nand-flash EMMC EMCP LPDDR

资质已核查

真实性已核验

图像仅供参考,请参阅产品规格书
场效应管 IRLR7843TRPBF
型号
:
IRLR7843TRPBF
品牌
:
INFINEON
封装
:
TO-252
批号
:
24+
标准包装
:
2000/盘
数量 单价
1+ ¥10
购买数量
x ¥10 = ¥10
库存
54000
预计发货日: 2025/03/22

深圳市芯达创科技有限公司

所在地区
广东省 深圳市
座机

0755-23912451 阮先生

手机

13543322237

13682328460

QQ 咨询
地址
广东省深圳市福田区华强北街道海外装饰大厦B座7B33

规格参数

数据手册 PDF

规格参数

制造商 Infineon
产品种类 MOSFET
RoHS
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TO-252-3
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 30 V
Id-连续漏极电流 161 A
Rds On-漏源导通电阻 3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压 2.3 V
Qg-栅极电荷 50 nC
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 175 C
Pd-功率耗散 140 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
晶体管类型 1 N-Channel
宽度 6.22 mm
正向跨导 - 最小值 37 S
下降时间 19 ns
上升时间 42 ns
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 25 ns
单位重量 330 mg
品牌:
HYNIX
封装:
BGA78
¥0.6/PCS
品牌:
SK Hynix
封装:
FBGA96
¥13.3/PCS
品牌:
HYNIX
封装:
FBGA96
¥0.6/PCS
品牌:
HYNIX
封装:
FBGA94
¥0.6/PCS
品牌:
SK Hynix
封装:
FBGA96
¥0.6/PCS
品牌:
SAMSUNG
封装:
FBGA96
¥9.8/PCS