会员年限
5年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥10 |
规格参数
数据手册 PDF
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-252-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Id-连续漏极电流 | 161 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
Qg-栅极电荷 | 50 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 140 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
高度 | 2.3 mm |
长度 | 6.5 mm |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 6.22 mm |
正向跨导 - 最小值 | 37 S |
下降时间 | 19 ns |
上升时间 | 42 ns |
典型关闭延迟时间 | 34 ns |
典型接通延迟时间 | 25 ns |
单位重量 | 330 mg |