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场效应管 IPD90R1K2C3ATMA2
型号
:
IPD90R1K2C3ATMA2
品牌
:
INFINEON
封装
:
TO-252
批号
:
23+
标准包装
:
2500/盘
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥10 |
购买数量
：
x ￥10 = ￥10
库存
：
20000
预计发货日： 2025/03/21
规格参数
| 制造商 | Infineon |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Id-连续漏极电流 | 5.1 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 28 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 单位重量 | 330 mg |
