美思半导体的SimpleGaN系列快充电源芯片内部集成650V高性能氮化镓器件，内置第二代Smart-feedback数字控制模块，无需外围环路补偿网络。支持高通QC3.0 3.3-21V输出，满足20mV输出的PPS电压步进标准，初级内置MTK PE快充协议。专为USB PD快充等宽输出电压的快充应用而设计，采用SOP13封装，对于大规模量产，提升生产效率，降低生产成本具有无可比拟的优势。此次推出的SimpleGaN系列中的MSG7517最高支持66W的输出功率。
　　美思半导体SimpleGaN系列初级芯片内置峰值电流模式控制的反激控制器，具有高性能，低EMI，低待机功耗以及保护功能全面等优势。初级芯片可实现多级恒压恒流输出，无需传统的次级反馈电路，有效的节省了外围器件的数量，并提高了系统整体的稳定性。