会员年限
5年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
10+ | ¥9.5 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Toshiba |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | DSOP-8 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 92 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 58 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 142 W |
通道模式 | Enhancement |
商标名 | U-MOSVIII-H |
封装 | Cut Tape |
封装 | MouseReel |
封装 | Reel |
配置 | Single |
高度 | 0.73 mm |
长度 | 5 mm |
系列 | TPW4R50ANH |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 5 mm |
商标 | Toshiba |
下降时间 | 13 ns |
产品类型 | MOSFET |
上升时间 | 9.6 ns |
工厂包装数量 | 5000 |
子类别 | MOSFETs |
典型关闭延迟时间 | 52 ns |
典型接通延迟时间 | 25 ns |
单位重量 | 98 mg |