1. HBM2E架构‌

   • 采用堆叠式DRAM设计，基于TSV（硅通孔）技术实现多层芯片垂直互联，显著提升带宽和容量‌12；
   • 单堆栈带宽可达461GB/s，满足高性能计算中对数据吞吐量的严苛需求‌7；
   • 支持扩展容量，优化大数据处理效率，适用于复杂AI模型的训练与推理场景‌12。

2. ‌封装与参数‌

   • 封装形式为BGA（球栅阵列），尺寸为2.9mm×6.7mm×1.8mm，适用于高密度集成‌5；
   • 工作电压范围3V–8V，支持-40℃至80℃的宽温环境，适应多样化应用场景‌5。

‌二、应用场景‌

• ‌超级计算‌：为数据中心、科研机构提供高带宽内存支持，加速大规模并行计算任务‌17；
• ‌AI/ML硬件加速‌：优化深度学习框架的数据加载效率，提升模型训练速度‌12；
• ‌嵌入式系统‌：部分版本可集成于智能终端设备（如流媒体播放器、车载系统），实现本地化高效数据处理‌8。