会员年限
5年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥500 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | IGBT 模块 |
RoHS | 是 |
配置 | Dual |
集电极—射极饱和电压 | 2.45 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
Pd-功率耗散 | 1250 W |
封装 / 箱体 | 62 mm |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Chassis Mount |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
单位重量 | 340 g |