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场效应管 HYG013N04NA1B6
型号
:
HYG013N04NA1B6
品牌
:
华羿微电
封装
:
TO-263
批号
:
20+
标准包装
:
800/盘
购买数量
：
x ￥1 = ￥1
库存
：
1000000
预计发货日： 2025/06/08
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 品牌 | 华羿微电 |
| 型号 | HYG013N04NA1B6 |
| 封装 | TO-263 |
| FET类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 40 |
| 漏极电流(Id) | 354 |
| 漏源导通电阻(RDS On) | 1.3 |
| 栅源电压(Vgs) | 20 |
| 栅极电荷(Qg) | 265 |
| 最大耗散功率 | 326W |
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