深圳市英德州科技有限公司
会员年限
6年
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主营产品：
集成电路IC ，TI/德州仪器 ，NXP ，AD/LT ，ALTERA ，ON ，XILINX ，FAIRCHIL ，MICROCHI ，IR
资质已核查
真实性已核验
图像仅供参考，请参阅产品规格书
场效应管 FDS4435BZ
型号
:
FDS4435BZ
品牌
:
ON(安森美)
封装
:
--
批号
:
2023
标准包装
:
--
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥1.415 |
| 10+ | ￥1.383 |
购买数量
：
x ￥1.415 = ￥1.415
库存
：
4552
预计发货日： 2025/05/14
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 8.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 高度 | 1.75 mm |
| 长度 | 4.9 mm |
| 系列 | FDS4435BZ |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 24 S |
| 下降时间 | 38 ns |
| 上升时间 | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns |
| 单位重量 | 130 mg |
数据手册 PDF
商品详情
