会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
100+ | ¥3 |
500+ | ¥2.6 |
1000+ | ¥2.5 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Diodes Incorporated |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SO-8 |
通道数量 | 2 Channel |
晶体管极性 | N-Channel, P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 4.7 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
配置 | Dual |
通道模式 | Enhancement |
高度 | 1.5 mm |
长度 | 5 mm |
系列 | ZXMC45 |
晶体管类型 | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
宽度 | 4 mm |
下降时间 | 10.6 ns, 10 ns |
上升时间 | 4.1 ns |
典型关闭延迟时间 | 26.2 ns, 35 ns |
典型接通延迟时间 | 3.5 ns |
单位重量 | 74 mg |