深圳市博雅盈达科技有限公司
会员年限
6年
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主营产品：
集成电路IC ，电容电阻 ，二三极管 ，MOS场效应管 ，光电耦合器 ，可控硅 ，电感 ，连接器 ，保险丝 ，USB座
资质已核查
真实性已核验
图像仅供参考，请参阅产品规格书
场效应管 SIZ340DT-T1-GE3
型号
:
SIZ340DT-T1-GE3
品牌
:
VISHAY/威世
封装
:
QFN8
批号
:
两年内
标准包装
:
3000/盘
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 10+ | ￥2 |
购买数量
：
x ￥2 = ￥20
库存
：
56222
预计发货日： 2025/03/17
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | PowerPAIR-3x3-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 30 A, 40 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 9.5 mOhms, 5.1 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 16 V, 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC, 35 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 16.7 W, 31 W |
| 配置 | Dual |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | SIZ |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值 | 37 S, 60 S |
| 下降时间 | 7 ns, 7 ns |
| 上升时间 | 55 ns, 82 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns, 20 ns |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns, 22 ns |
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