会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
10+ | ¥25 |
50+ | ¥24 |
100+ | ¥23 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | STMicroelectronics |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Id-连续漏极电流 | 13 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 700 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 190 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 350 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
高度 | 20.15 mm |
长度 | 15.75 mm |
系列 | STW13NK100Z |
晶体管类型 | 1 N-Channel Power MOSFET |
宽度 | 5.15 mm |
正向跨导 - 最小值 | 14 S |
下降时间 | 45 ns |
上升时间 | 35 ns |
典型关闭延迟时间 | 145 ns |
典型接通延迟时间 | 45 ns |
单位重量 | 38 g |