会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
10+ | ¥0.5 |
100+ | ¥0.35 |
1000+ | ¥0.25 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | onsemi |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOT-23-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 170 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 225 mW |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
正向跨导 - 最小值 | 80 mS |
高度 | 0.94 mm |
长度 | 2.9 mm |
系列 | BSS123L |
晶体管类型 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
典型接通延迟时间 | 1.3 mm |
宽度 | 8 mg |