会员年限
1年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥3.5 |
100+ | ¥3.4 |
1000+ | ¥3.3 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | PG-SOT-223-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 9 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 13 nC |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 7 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
系列 | CoolMOS P7 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
下降时间 | 10 ns |
上升时间 | 7 ns |
典型关闭延迟时间 | 42 ns |
典型接通延迟时间 | 8 ns |