会员年限
1年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1000+ | ¥0.8 |
9000+ | ¥0.423 |
3000+ | ¥0.345 |
规格参数
数据手册 PDF
制造商 | Diodes Incorporated |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOT-363-6 |
通道数量 | 2 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 350 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 4.5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 500 mV |
Qg-栅极电荷 | 0.5 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 410 mW |
配置 | Dual |
通道模式 | Enhancement |
系列 | DMN62D0UDW |
晶体管类型 | 2 N-Channel |
正向跨导 - 最小值 | 1.8 S |
下降时间 | 12.5 ns |
上升时间 | 2.5 ns |
典型关闭延迟时间 | 22.6 ns |
典型接通延迟时间 | 2.4 ns |
单位重量 | 7.500 mg |