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NVTFS9D6P04M8LTAG
型号
:
NVTFS9D6P04M8LTAG
品牌
:
ON/安森美
封装
:
--
批号
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--
标准包装
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| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥0.199998 |
购买数量
：
x ￥0.199998 = ￥0.199998
库存
：
10000
预计发货日： 2025/05/22
深圳市泽晟半导体科技有限公司2
所在地区
：
地址
：
规格参数
数据手册 PDF
规格参数
| 制造商 | onsemi |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | WDFN-8 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 64 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 9.5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.4 V |
| Qg-栅极电荷 | 34.6 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 75 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 配置 | Single |
| 下降时间 | 49.3 ns |
| 正向跨导 - 最小值 | 46 S |
| 上升时间 | 91.5 ns |
| 晶体管类型 | 74.6 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 12.6 ns |
| 典型接通延迟时间 | 29.570 mg |
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