会员年限
2年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥0.2 |
10+ | ¥0.15 |
100+ | ¥0.1 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOT-23-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Id-连续漏极电流 | 5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 12 V, + 12 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 800 mV |
Qg-栅极电荷 | 6.8 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
通道模式 | Enhancement |
系列 | N-Channel |
配置 | Single |
下降时间 | 9.1 ns |
正向跨导 - 最小值 | 19 S |
高度 | 1.1 mm |
长度 | 2.9 mm |
上升时间 | 5.6 ns |
晶体管类型 | 22 ns |
典型关闭延迟时间 | 4.2 ns |
典型接通延迟时间 | 1.3 mm |
宽度 | IRLML6344TRPBF SP001574050 |