会员年限
2年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥0.2 |
10+ | ¥0.15 |
100+ | ¥0.1 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOT-23-3 |
晶体管极性 | P-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Id-连续漏极电流 | 760 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
Qg-栅极电荷 | 3.4 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 540 mW |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
高度 | 1.1 mm |
长度 | 2.9 mm |
晶体管类型 | 1 P-Channel |
宽度 | 1.3 mm |
正向跨导 - 最小值 | 0.44 S |
下降时间 | 16 ns |
上升时间 | 8.2 ns |
典型关闭延迟时间 | 23 ns |
典型接通延迟时间 | 10 ns |
单位重量 | 8 mg |