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IPP65R110CFD
型号
:
IPP65R110CFD
品牌
:
Infineon/英飞凌
封装
:
TO-220
批号
:
23+
标准包装
:
--
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥0.2 |
| 10+ | ￥0.15 |
| 100+ | ￥0.1 |
购买数量
：
x ￥0.2 = ￥0.2
库存
：
10000
预计发货日： 2025/05/18
规格参数
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商品详情
规格参数
| 制造商 | Infineon |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 31.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 118 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 277.8 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 高度 | 15.65 mm |
| 长度 | 10 mm |
| 系列 | CoolMOS CFD2 |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 下降时间 | 6 nS |
| 上升时间 | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 68 nS |
| 单位重量 | 2 g |
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