会员年限
2年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
10+ | ¥0.88 |
500+ | ¥0.78 |
5000+ | ¥0.68 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-263-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Id-连续漏极电流 | 120 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.58 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 134 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 158 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
资格 | AEC-Q101 |
高度 | 4.4 mm |
长度 | 10 mm |
系列 | OptiMOS-T2 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 9.25 mm |
下降时间 | 30 ns |
上升时间 | 16 ns |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
典型接通延迟时间 | 27 ns |
单位重量 | 4 g |
型号 | IPB120N04S4-02 |
深圳市深科创科技有限公司(shenkechuang technology ShenZhen Co., Ltd)
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