会员年限
3年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥29 |
100+ | ¥25.6 |
1000+ | ¥23 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | STMicroelectronics |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Id-连续漏极电流 | 19.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 260 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 40 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 250 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
系列 | STW25N80K5 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
单位重量 | 38 g |