会员年限
3年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥26.3 |
100+ | ¥23 |
1000+ | ¥22.8 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | STMicroelectronics |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-263-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Id-连续漏极电流 | 24 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 30 V, + 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 43 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 250 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
系列 | STB30N80K5 |