会员年限
3年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥12.5 |
100+ | ¥11.2 |
1000+ | ¥10.2 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | ON Semiconductor |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SO-8 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 17.3 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 16 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 5 W |
配置 | Single |
高度 | 1.75 mm |
长度 | 4.9 mm |
系列 | FDS86240 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 3.9 mm |
正向跨导 - 最小值 | 26 S |
下降时间 | 10 ns |
上升时间 | 10 ns |
典型关闭延迟时间 | 39 ns |
典型接通延迟时间 | 26 ns |
单位重量 | 130 mg |