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规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | STMicroelectronics |
产品种类 | IGBT 模块 |
RoHS | 是 |
配置 | Single Dual Emitter |
集电极—射极饱和电压 | 1.2 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
Pd-功率耗散 | 600 W |
封装 / 箱体 | ISOTOP-4 |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
高度 | 9.1 mm |
长度 | 38.2 mm |
系列 | STGE200NB60S |
宽度 | 25.5 mm |
安装风格 | Through Hole |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
单位重量 | 28 g |