会员年限
3年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥85 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | ROHM Semiconductor |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-247N-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 1200 V |
Id-连续漏极电流 | 40 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 6 V, 22 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
Qg-栅极电荷 | 106 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 262 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
资格 | AEC-Q101 |
系列 | SCT2x |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值 | 3.7 S |
下降时间 | 22 ns |
上升时间 | 36 ns |
典型关闭延迟时间 | 76 ns |
典型接通延迟时间 | 35 ns |