会员年限
4年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥0.099991 |
0755-83539227 冯小姐
0755-82568287
18823440899
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | STMicroelectronics |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220FP-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Id-连续漏极电流 | 9 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 72 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 40 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
高度 | 9.3 mm |
长度 | 10.4 mm |
系列 | STP10NK80ZFP |
晶体管类型 | 1 N-Channel Power MOSFET |
宽度 | 4.6 mm |
正向跨导 - 最小值 | 9.6 S |
下降时间 | 17 ns |
上升时间 | 20 ns |
典型关闭延迟时间 | 65 ns |
典型接通延迟时间 | 30 ns |
单位重量 | 2.040 g |